Sb系化合物半導体のエピタキシャル成長技術とその応用

カテゴリ: 部門大会

論文No: TC14-4

グループ名: 【C】平成25年電気学会電子・情報・システム部門大会講演論文集

発行日: 2013/09/04

タイトル(英語): Epitaxial growth of Sb-based compound semiconductors and its application to electron devices

著者名: 横山 春喜(NTTフォトニクス研究所),星 拓也(NTTフォトニクス研究所),杉山 弘樹(NTTフォトニクス研究所),横山 正史(東京大学),竹中 充(東京大学),高木 信一(東京大学)

著者名(英語): Haruki Yokoyama(NTT Photonics Laboratories),Takuya Hoshi(NTT Photonics Laboratories),Hiroki Sugiyama(NTT Photonics Laboratories),Masafaumi Yokoyama(The University of Tokyo),Mitsuru Takenaka(The University of Tokyo),Shinichi Takagi(The University of Tokyo)

キーワード: エピタキシャル成長|Sb系化合物半導体|電子デバイス電子デバイス|Epitaxial growth|Sb-based compound semiconductor|Electron device

要約(日本語): Sb系化合物半導体は他の化合物半導体との組み合わせにより、Type-IやType-IIのヘテロ接合を形成することが知られている。このためSb系化合物半導体をデバイス構造に応用した場合、バンドラインナップを自在に調整することが可能なり、デバイス性能が向上することが期待できる。本報告では、MOCVD法を用いた高品質Sb系化合物半導体エピタキシャル成長技術、および、この技術をHEMT、HBTに応用した時のデバイス特性改善について報告する。また、近年、Si CMOSの技術分野では従来のスケーリング則に従った微細化による特性劣化が顕著になってきており、新たなテクノロジブースターが必要とされている。Si基板上にSiよりも移動度の大きなSb系化合物半導体チャネルを形成するヘテロジニアス集積化技術の構築に向けて開発しているSb系化合物半導体ヘテロエピタキシャル成長技術についても紹介する。

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