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GaNパワーデバイスの現状と将来展望
GaNパワーデバイスの現状と将来展望
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カテゴリ: 部門大会
論文No: TC14-5
グループ名: 【C】平成25年電気学会電子・情報・システム部門大会講演論文集
発行日: 2013/09/04
タイトル(英語): Current Status of GaN Power Devices
著者名: 石田 秀俊(パナソニック),上田 哲三(パナソニック)
著者名(英語): Hidetoshi Ishida(Panasonic Corporation),Tetsuzo Ueda(Panasonic Corporation)
キーワード: GaN|パワーデバイス|トランジスタ|ダイオード|GaN|power devices|transistor|diode
要約(日本語): 省エネルギー社会実現のために、電力変換機器に使用されるスイッチングパワーデバイスの低損失化が要望されている。本稿では、従来のSiを用いたパワーデバイスと比較して大幅に低損失化が可能なGaNを用いたパワーデバイスの最近の進展と将来展望について概説する。
PDFファイルサイズ: 3,504 Kバイト
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