Si上のIII-V族化合物半導体ナノワイヤチャネル：縦型トランジスタ応用

カテゴリ: 部門大会

論文No: TC14-6

グループ名: 【C】平成25年電気学会電子・情報・システム部門大会講演論文集

発行日: 2013/09/04

タイトル(英語): III-V nanowire channels on Si: vertical FET applications

著者名: 冨岡 克広(北海道大学),福井 孝志(北海道大学)

著者名(英語): Katsuhiro Tomioka(Hokkaido University),Takashi Fukui(Hokkaido University)

キーワード: III-V族化合物半導体|nanowire|FETFET|III-V compound semiconductor|nanowire|FET

要約(日本語): 近年、ナノメートルスケールの直径を有した半導体一次元ナノ構造：ナノワイヤが次世代エレクトロニクスのチャネル材料として注目を集めている。本論文では、有機金属気相選択成長法によるIII-V族化合物半導体ナノワイヤ成長について、シリコン基板上の集積技術を紹介し、垂直自立型ナノワイヤを用いた縦型トランジスタの作製と、シリコン上のIII-V族化合物半導体ナノワイヤで形成されるSi/III-Vヘテロ接合界面を利用した縦型トンネル電界効果トランジスタ(Tunnel field-effect transistor: TFET)の作製について報告する。

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