Ni/Si系におけるNiSi2相の低温形成

カテゴリ: 部門大会

論文No: GS5-7

グループ名: 【C】平成26年電気学会電子・情報・システム部門大会講演論文集

発行日: 2014/09/03

タイトル(英語): Low-temperature formation of NiSi2 phase in Ni/Si system

著者名: 野矢 厚(北見工業大学),武山 真弓(北見工業大学)

著者名(英語): Atsushi Noya(Kitami Institute of Technology),Mayumi B. Takeyama (Kitami Institute of Technology)

キーワード: シリサイド|固相反応|形成温度形成温度|silicide|solid-phase reaction|formation temperature

要約(日本語): NiとSiの化合物であるNiシリサイドはデバイスのオーミックコンタクト等の材料として注目されている。Ni/Si系での固相反応で見られる相は、低温より順に、Ni2Si→NiSi→NiSi2であり、NiSi相はおよそ300℃から形成され、750℃まで安定であり、それ以上の温度で最終相であるNiSi2へと転移する。このようなNi/Si反応系で、350?400℃の低温においても、高温相であるNiSi2相の形成が可能であることが明らかとなったので、その実験結果と可能な形成過程についての検討結果を報告する。

PDFファイルサイズ: 1,930 Kバイト