半導体デバイスの誤点弧メカニズムに関する解析

カテゴリ: 部門大会

論文No: MC3-1

グループ名: 【C】平成26年電気学会電子・情報・システム部門大会講演論文集

発行日: 2014/09/03

タイトル(英語): An Analysis of False Turn-on Mechanism in semoconductor devices

著者名: 三島 大地(島根大学),西垣 彰紘(島根大学),梅上大勝 (島根大学),服部 文哉(島根大学),山本 真義(島根大学)

著者名(英語): Taichi Mishima(Shimane University),Akihiro Nishigaki(Shimane University),Hirokatsu Umegami(Shimane University),Fumiya Hattori(Shimane University),Masayoshi Yamamoto(Shimane University)

キーワード: 誤点弧|高周波|パワーデバイス|窒化ガリウム|炭化ケイ素|False turn-on|High-Frequency|Power devices|Gallium nitride|Silicon carbide

要約(日本語): 近年，家電民生・産業機器・運輸機器といった分野にスイッチング電源が採用されている。これらスイッチング電源には主にシリコン系のMOS FETやIGBTが用いられてきたが，さらなる大幅な小型・軽量化及び高密度化には物性上の限界が近づいている。一方で，近年シリコン系デバイスに比べて高耐圧・高速スイッチング・低損失・高温動作を可能とする炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)といった次世代パワーデバイスが注目されている。しかし，GaN HEMTは一般的に閾値電圧が低いことや，SiC MOS FETは高温動作時に閾値電圧が低下するという報告があり，次世代パワーデバイスは従来のパワーデバイスに対してゲートノイズによる誤点弧・誤消弧の懸念がある。本報告ではパワーデバイスのボディダイオードによるリカバリー電流が誤点弧発生に関係していることが理論解析により明らかとなったので報告する。

PDFファイルサイズ: 811 Kバイト