新素材デバイスの配線インダクタンスとスイッチング損失に関する一検討

カテゴリ: 部門大会

論文No: MC3-2

グループ名: 【C】平成26年電気学会電子・情報・システム部門大会講演論文集

発行日: 2014/09/03

タイトル(英語): A Consideration of Wiring Inductance and Switching Loss for New Material Device

著者名: 吉田 尭(島根大学),石橋 寛基(島根大学),山本 真義(島根大学)

著者名(英語): Takashi Yoshida(Shimane University),Hiroki Ishibashi(Shimane University),Masayoshi Yamamoto(Shimane University)

キーワード: 配線インダクタンス|新素材デバイス|ダブルパルス回路|炭化ケイ素|スイッチング損失|wiring inductance|new material device|double pulse circuit|SiC|switching loss

要約(日本語): 近年，Si系半導体デバイスの物性性能の限界が近づいており，Si系半導体デバイスの物性性能限界をはるかに上回る新素材デバイスが注目を浴びている。特に，SiC-MOS FETはIGBTと同等の耐圧を誇り，IGBTの問題であったスイッチターンオフ時に発生するテール電流が発生しないため，ターンオフ時のスイッチング損失を低減可能である。このスイッチング損失であるが，低減方法の内の1つに回路上の配線を短くするなどしてインダクタンス値を減らす方法がある。しかしながら，回路の自由なレイアウトが困難となり，小型軽量化の妨げになる恐れもある。そこで本報告ではダブルパルス回路を用いてIGBT，SiC-MOS FETのスイッチング損失の測定を行う。さらにダブルパルス回路上の配線インダクタンス値を変えた場合のIGBTとSiC-MOS FETのスイッチング損失がどの様に変化するか測定し，配線インダクタンスはスイッチング損失の観点から低減すべきか検討する。

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