新素材デバイスにおける損失抑制法の最適化検討

カテゴリ: 部門大会

論文No: MC3-3

グループ名: 【C】平成26年電気学会電子・情報・システム部門大会講演論文集

発行日: 2014/09/03

タイトル(英語): Optimization of Loss Suppression Method with New Material Devices

著者名: 七森 公碩(島根大学),原田 敏和(島根大学),梅上大勝 (島根大学),山本 真義(島根大学)

著者名(英語): Kimihiro Nanamori(Shimane University),Toshikazu Harada(Shimane University),Hirokatsu Umegami(Shimane University),Masayoshi Yamamoto(Shimane University)

キーワード: SiCショットキーバリアダイオード|順方向電圧|並列接続並列接続|SiC Schottky Barrier Diode|Forward Voltage|Parallel Connection

要約(日本語): 近年，新素材デバイスの炭化ケイ素(SiC）の発達により，SiCを用いた半導体デバイスが注目されている。一般に高電圧条件下でもちいられるSiC MOS-FETはボディダイオードによるリカバリ電流と高い順方向電圧により，還流電流のあるアプリケーションで損失が増大してしまうといった問題がある。そのためSiCショットキーバリアダイオード( SBD )をSiC MOS-FETに並列接続し，損失を抑制する方法が多く用いられてきた。しかしながら，電流値を増加させることにより，SBDの順方向電圧が増加してしまうため，MOS-FETのボディダイオードが導通してしまうという現象を確認したので，順方向電圧と導通電流の関係性を示す。また，この現象によりMOS-FETにSBDを並列接続する際，リカバリ損失が必ずしもボディダイオードを用いる場合よりも低減できないことが確認できた。従って，並列にSBDを接続する損失抑制法がどの領域において有効なのかを検討する。

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