二層セラミック板構造を持つ高耐熱実装構造の検討

カテゴリ: 部門大会

論文No: MC3-4

グループ名: 【C】平成26年電気学会電子・情報・システム部門大会講演論文集

発行日: 2014/09/03

タイトル(英語): A study about High Temperature Power Module having double ceramic plates

著者名: 安在 岳士(技術研究組合次世代パワーエレクトロニクス研究開発機構,カルソニックカンセイ),佐藤 弘(技術研究組合次世代パワーエレクトロニクス研究開発機構,産業技術総合研究所),村上 善則(技術研究組合次世代パワーエレクトロニクス研究開発機構,日産自動車),佐藤 伸二(技術研究組合次世代パワーエレクトロニクス研究開発機構,サンケン電気),加藤史樹 (技術研究組合次世代パワーエレクトロニクス研究開発機構,産業技術総合研究所),谷澤 秀和(技術研究組合次世代パワーエレクトロニクス研究開発機構,サンケン電気),樋山 浩平(技術研究組合次世代パワーエレクトロニクス研究開発機構,東芝),高橋 弘樹(技術研究組合次世代パワーエレクトロニクス研究開発機構,富士電機)

著者名(英語): Takeshi Anzai(R&D Partnership for Future Power Electronics Technology,Calsonic Kansei Corporation),Hiroshi Sato(R&D Partnership for Future Power Electronics Technology,National Institute of Advanced Industrial Science and Technology),Yoshinori Murakami(R&D Partnership for Future Power Electronics Technology,NISSAN MOTOR CO.,LTD.),Shinji Sato(R&D Partnership for Future Power Electronics Technology,Sanken Electric Co.,Ltd.),fumiki Kato(R&D Partnership for Future Power Electronics Technology,National Institute of Advanced Industrial Science and Technology),Hidekazu Tanisawa(R&D Partnership for Future Power Electronics Technology,Sanken Electric Co.,Ltd.),Kohei Hiyama(R&D Partnership for Future Power Electronics Technology,TOSHIBA CORPORATION),Hiroki Takahashi(R&D Partnership for Future Power Electronics Technology,FUJI ELECTRIC CO.,LTD.)

キーワード: SiCデバイス|パワーモジュール|高温動作高温動作|SiC Device|Power module|High Temperature Operation

要約(日本語): SiCの特徴である高耐熱性を活かした高耐熱パワーモジュールを作成し、高温動作可能であることを確認した。パワーモジュールの高耐熱化における課題とその対策に関する検討結果を報告する。モジュール構造は二枚のDBC基板でSiCデバイスをサンドイッチする構造とし、一方のDBC基板を放熱器にはんだ付けする構造とした。本モジュールは線膨張係数の異なる複数の部品によって構成される。また、従来に比べ使用温度範囲が広くなったことにより、熱によるモジュールの変形がさらに深刻な問題となる。特に、接合面積の大きいDBC基板と放熱器間の線膨張係数差がモジュール全体の変形に大きく影響する。放熱器材料の線膨張係数によるモジュールの変形を評価し、DBC基板に近い線膨張係数を有する材料を放熱器に選択することでモジュールの変形を低減できることを確認し、高耐熱化を実現した。

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