250℃までの使用を想定したAlワイヤーの信頼性評価

カテゴリ: 部門大会

論文No: MC3-5

グループ名: 【C】平成26年電気学会電子・情報・システム部門大会講演論文集

発行日: 2014/09/03

タイトル(英語): The Reliability Assessment of Al Wire Bonding for SiC Power Module until 250 degree C

著者名: 谷澤 秀和(技術研究組合次世代パワーエレクトロニクス研究開発機構,サンケン電気),佐藤 弘(技術研究組合次世代パワーエレクトロニクス研究開発機構,産業技術総合研究所),村上 善則(技術研究組合次世代パワーエレクトロニクス研究開発機構,日産自動車),佐藤 伸二(技術研究組合次世代パワーエレクトロニクス研究開発機構,サンケン電気),加藤史樹 (技術研究組合次世代パワーエレクトロニクス研究開発機構,産業技術総合研究所),安在 岳士(技術研究組合次世代パワーエレクトロニクス研究開発機構,カルソニックカンセイ),樋山 浩平(技術研究組合次世代パワーエレクトロニクス研究開発機構,東芝),高橋 弘樹(技術研究組合次世代パワーエレクトロニクス研究開発機構,富士電機)

著者名(英語): Hidekazu Tanisawa(R&D Partnership for Future Power Electronics Technology,Sanken Electric Co.,Ltd.),Hiroshi Sato(R&D Partnership for Future Power Electronics Technology,National Institute of Advanced Industrial Science and Technology),Yoshinori Murakami(R&D Partnership for Future Power Electronics Technology,NISSAN MOTOR CO.,LTD.),Shinji Sato(R&D Partnership for Future Power Electronics Technology,Sanken Electric Co.,Ltd.),fumiki Kato(R&D Partnership for Future Power Electronics Technology,National Institute of Advanced Industrial Science and Technology),Takeshi Anzai(R&D Partnership for Future Power Electronics Technology,Calsonic Kansei Corporation),Kohei Hiyama(R&D Partnership for Future Power Electronics Technology,TOSHIBA CORPORATION),Hiroki Takahashi(R&D Partnership for Future Power Electronics Technology,FUJI ELECTRIC CO.,LTD.)

キーワード: SiCデバイス|パワーモジュール|高温動作|信頼性|SiC Device|Power module|High Temperature Operation|Reliability

要約(日本語): 本論文では、過去に発表した－40℃～250℃の温度帯において信頼性を確保したAlワイヤーよりもさらに高い信頼性を示したAlワイヤーについて報告する。近年、地球温暖化などにより省エネ技術の更なる開発が必要とされている。その中で、SiC半導体はSi半導体に比べ低損失である事から注目されている。また、SiC半導体はSi半導体よりも高温動作させることができる特徴も有しており、室温との温度差が大きくなるため、放熱を簡略化する事ができ、モジュールサイズを小型にすることが可能である。しかし、実装部材は今までSi半導体向けに作られており、SiC半導体の高温動作の一つの目安になっている250℃での信頼性は確立されていない。そのため、我々は‐40℃～250℃におけるAlワイヤーの信頼性の評価を行っている。そして本論文では過去に信頼性を確保したと発表したワイヤーより高いプル強度信頼性を示すワイヤーを発見したので、その試験結果を示す。

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