両面接合SiCパワーモジュールのスイッチング動作

カテゴリ: 部門大会

論文No: MC3-6

グループ名: 【C】平成26年電気学会電子・情報・システム部門大会講演論文集

発行日: 2014/09/03

タイトル(英語): Switching operation of double-side bonding SiC power module

著者名: 佐藤 伸二(技術研究組合次世代パワーエレクトロニクス研究開発機構,サンケン電気),安在 岳士(技術研究組合次世代パワーエレクトロニクス研究開発機構,カルソニックカンセイ),谷澤 秀和(技術研究組合次世代パワーエレクトロニクス研究開発機構,サンケン電気),高橋 弘樹(技術研究組合次世代パワーエレクトロニクス研究開発機構,富士電機),樋山 浩平(技術研究組合次世代パワーエレクトロニクス研究開発機構,東芝),村上 義則(技術研究組合次世代パワーエレクトロニクス研究開発機構,日産自動車),佐藤 弘(技術研究組合次世代パワーエレクトロニクス研究開発機構,産業技術総合研究所)

著者名(英語): Shinji Sato(R&D Partnership for Future Power Electronics Technology,Sanken Electric Co.,Ltd.),Takeshi Anzai(R&D Partnership for Future Power Electronics Technology,Calsonic Kansei Corporation),Hidekazu Tanisawa(R&D Partnership for Future Power Electronics Technology,Sanken Electric Co.,Ltd.),Hiroki Takahashi(R&D Partnership for Future Power Electronics Technology,FUJI ELECTRIC CO.,LTD.),Kohei Hiyama(R&D Partnership for Future Power Electronics Technology,TOSHIBA CORPORATION),Yoshinori Murakami(R&D Partnership for Future Power Electronics Technology,NISSAN MOTOR CO.,LTD.),Hiroshi Sato(R&D Partnership for Future Power Electronics Technology,National Institute of Advanced Industrial Science and Technology)

キーワード: パワーモジュール|炭化ケイ素|両面接合両面接合|Power module|SiC|double side bonding

要約(日本語): 　SiCやGaNなどのワイドギャップ半導体を使用したパワーデバイスが注目されている。これらのワイドギャップ半導体は絶縁破壊電界強度がSi より1 桁大きく，耐圧を保持するためのドリフト層の厚さをSiパワーデバイスに対して1/10にできる。これを利用したパワーデバイスは導通時の抵抗値を小さくでき、ユニポーラデバイスの高速スイッチング特性と併せて電力変換器の低損失化を実現できる。また、Siパワーデバイスと比較して高温動作が可能であり、400℃での動作も報告されている。SiCパワーデバイスを用いたパワーモジュールを試作した。同パワーモジュールはSiCの高速動作、高温動作を意識して設計している。本報告では、その通電特性について議論する。

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