低損失かつ低ノイズSiC-MOSFET駆動回路の検討

カテゴリ: 部門大会

論文No: MC6-1

グループ名: 【C】平成26年電気学会電子・情報・システム部門大会講演論文集

発行日: 2014/09/03

タイトル(英語): Low Loss and Low Noise Gate Driver for SiC MOSFET

著者名: 山口 浩二(IHI),馬籠 隼一(IHI),佐々木 裕司(IHI)

著者名(英語): Koji Yamaguchi(IHI Corporation),Junichi Magome(IHI Corporation),Yuji Sasaki(IHI Corporation)

キーワード: シリコンカーバイド|ＭＯＳＦＥＴ|駆動回路|SiC|Silicon Carbide|MOSFET|Gate Driver|SiC

要約(日本語): 　本検討ではSiC-MOSFETを低損失かつ低ノイズでスイッチングするための駆動回路を提案し、その特性を実験により評価した結果を示す。次世代パワーデバイスとして期待されるSiCデバイスは高速・低損失スイッチングが可能であるが、その高速動作によるスイッチングノイズ、ＥＭＩの影響が懸念されている。また、スイッチング周波数の高周波化によるフィルタ装置の小型化要求もあり、さらなる低損失スイッチング性能が求められている。本検討では、普及の進むSiC-DMOSFETのスイッチング特性を解析し、ゲートブースト回路、スピードアップコンデンサによる駆動回路の最適化を検討した。提案するSiC-MOSFET駆動回路により、スイッチングのトレードオフを解消し、従来駆動回路と比較して低ノイズかつ低損失スイッチングが可能であることを実験により検証した。

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