SiC-MOSFETスイッチトリラクタンスモータ駆動回路の検討

カテゴリ: 部門大会

論文No: MC6-2

グループ名: 【C】平成26年電気学会電子・情報・システム部門大会講演論文集

発行日: 2014/09/03

タイトル(英語): SiC MOSFET Converter for Switched Reluctance Motor Drive

著者名: 山口 浩二(IHI),馬籠 隼一(IHI)

著者名(英語): Koji Yamaguchi(IHI Corporation),Junichi Magome(IHI Corporation)

キーワード: シリコンカーバイド|SiC|スイッチトリラクタンスモータ|SRM|Silicon Carbide|SiC|Switched Reluctance Motor|SRM

要約(日本語): 　本検討ではSiC-MOSFETを適用した10kWスイッチトリラクタンスモータ駆動回路を試作し、実験によりSi-IGBTによる従来回路と比較評価した結果を示す。SiC-MOSFETを適用することでSi-IGBT回路に比較して効率を改善することができた。また、SiC-MOSFETの高速駆動特性を活かしスイッチング周波数を高周波化することでモータ駆動電流制御性能を改善した。さらに、SiC-MOSFETの低損失スイッチング特性から、従来回路に比べてスイッチング素子数の増加が許容できるようになり、スイッチトリラクタンスモータ駆動回路に新たな機能を持たせることが可能となる。本検討では、スイッチング素子とキャパシタを追加したキャパシタブースト駆動回路を試作し、スイッチトリラクタンスモータの出力トルク特性を改善した。

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