3次元集積技術と低温化プロセス（招待講演）

カテゴリ: 部門大会

論文No: OS8-1

グループ名: 【C】平成26年電気学会電子・情報・システム部門大会講演論文集

発行日: 2014/09/03

タイトル(英語): Impacts of Low Temperature Process on 3D Integration

著者名: 中村友二(富士通研究所),北田秀樹(富士通研究所),水島賢子(富士通研究所),上殿明良(筑波大学),Youngsuk Kim(東京工業大学),大場隆之(東京工業大学)

著者名(英語): Tomoji Nakamura|Hideki Kitada|Yoriko Mizushima|Youngsuk Kim|Akira Uedono|Takayuki Ohba

キーワード: 3次元集積技術|シリコン貫通ビア|低温成膜|スキャロップ|薄化損傷|3D integration|Through Si Via|Low Temperature deposition|Scallop|Thinning damage

要約(日本語): 3次元LSIの実現には、Si貫通ビアの形成、Siウェハの薄化、薄化ウェハの積層、薄膜成膜などの集積化技術が必要となり、特に仮固定された薄化ウェハの加工には、処理プロセスの低温化（200℃以下）が重要となる。本発表では、低温化に伴う絶縁膜の膜質低下、残存する加工損傷および、これらが電気的、機械的特性に及ぼす影響について述べる。

PDFファイルサイズ: 962 Kバイト