反応性スパッタ法を用いた低温SiNx膜のTSVプロセスへの適用

カテゴリ: 部門大会

論文No: OS8-4

グループ名: 【C】平成26年電気学会電子・情報・システム部門大会講演論文集

発行日: 2014/09/03

タイトル(英語): Silicon nitride film for TSV process prepared by reactive sputtering at low temperature

著者名: 佐藤 勝(北見工業大学),武山 真弓(北見工業大学),小林 靖志(富士通研究所),中田 義弘(富士通研究所),中村 友二(富士通研究所),野矢 厚(北見工業大学)

著者名(英語): Masaru Sato(Kitami Institute of Technology),Mayumi B. Takeyama (Kitami Institute of Technology),Yasushi Kobayashi(Fujitsu Laboratories Ltd.),Yoshihiro Nakata(Fujitsu Laboratories Ltd.),Tomoji Nakamura(Fujitsu Laboratories Ltd.),Atsushi Noya(Kitami Institute of Technology)

キーワード: 反応性スパッタ|低温プロセス|SiNx膜|TSV|reactive sputtering|low temperature|SiNx film|TSV

要約(日本語): 近年，微細化に頼らずLSIの高密度・高機能化を実現させる方策として，3次元集積回路に注目が集まっている．特に，チップあるいはウェハ同士を最短で配線できるSi貫通ビア（Through Silicon Via:TSV）の実現が3次元集積回路技術の進展を牽引している1つの要因となっている．3次元集積回路は様々な基板を積層させることができることから，それらを結ぶTSVプロセスは，熱に弱い基板やLSIプロセス後の基板等の使用を考えると，できるだけ低温化することが望ましい．特に，貫通させたSiと配線を分離するSiNx膜等の絶縁膜の低温化は最重要課題の一つとして位置づけられている．そこで本研究では，原理的には基板加熱せずとも成膜が可能な反応性スパッタ法に着目し，得られた膜の構造・組織，組成等基本的な特性と共に，TSVへの埋め込み特性等についても明らかにする．

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