IGBT多段接続高速高電圧固体スイッチのスイッチング特性

カテゴリ: 部門大会

論文No: PS7-1

グループ名: 【C】平成26年電気学会電子・情報・システム部門大会講演論文集

発行日: 2014/09/03

タイトル(英語): Switching Characteristics of Fast High Voltage Solid State Switch Using Insulated Gate Bipolar Transistor

著者名: Binti Othman Nur Syarafina (近畿大学),神藤 翼(近畿大学),山田 誠(近畿大学),津山 美穂(近畿大学),中野 人志(近畿大学)

著者名(英語): Binti Othman Nur Syarafina (Kinki University),Tsubasa Jindou(Kinki University),Makoto Yamada(Kinki University),Miho Tsuyama(Kinki University),Hitoshi Nakano(Kinki University)

キーワード: IGBT|レーザー|高電圧|スイッチング|IGBT|Laser|High Voltage|Switching

要約(日本語): Pulsed power is a broad techincal field that is united by a common activity which is the transformation of electrical energy into high peak power pulse.The objective of this research is to study the development of high voltage, high speed solid state switch using Insulated Gate Bipolar Transistor for gas laser pumping and its optimization of the switching characteristics.

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