培養神経回路網における可塑性に対するノルアドレナリン修飾作用

カテゴリ: 部門大会

論文No: TC4-6

グループ名: 【C】平成26年電気学会電子・情報・システム部門大会講演論文集

発行日: 2014/09/03

タイトル(英語): Noradrenergic Modulation of Plasticity in Neuronal Networks

著者名: 門倉 智之助(東京大学),磯村 拓哉(東京大学),小谷 潔(東京大学),神保 泰彦(東京大学)

著者名(英語): Tomonosuke Kadokura(The University of Tokyo),Takuya Isomura(The University of Tokyo),Kiyoshi Kotani(The University of Tokyo),Yasuhiko Jimbo(The University of Tokyo)

キーワード: 微小電極アレイ|ノルアドレナリン|神経修飾作用|シナプス可塑性|microelectrode array|noradrenaline|neuromodulation|synaptic plasticity

要約(日本語): ノルアドレナリン(NA)は記憶定着機能に関わっていると考えられているが，神経回路網での全体的な結合強度減少であるシナプスダウンスケーリングとNAとの関係や，シナプスダウンスケーリングと記憶定着との関係は未解明である．そこで本研究では微小電極アレイ(MEA)を用いて神経回路網に対するNA修飾作用を評価した．MEA上で分散培養した大脳皮質神経細胞に対し，連合的電気刺激(テタヌス刺激と単刺激の組合せ)を10点の電極から印加した．連合的電気刺激の前後にテスト刺激を行い，他電極を刺激した際の各電極における誘発応答スパイク数の変化を評価した．誘発応答スパイク数は連合的電気刺激前後で上昇したが，α1アドレナリン受容体作動薬であるPhenylephrine存在下では減少した．また連合的電気刺激を印加していない電極においても同様に減少が見られた．これらの結果からα1アドレナリン受容体刺激により回路網全体で長期抑圧が起こった事が示唆された．

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