CMOS-SRAMセルを用いた3値CAMの照合特性

カテゴリ: 部門大会

論文No: PS4-3

グループ名: 【C】平成27年電気学会電子・情報・システム部門大会講演論文集

発行日: 2015/08/27

タイトル(英語): Interrogation Properties of a Ternary Content Addressable Memory Using CMOS-SRAM Cells

著者名: 早川 翔(東海大学),吉田 正廣(東海大学)

著者名(英語): Sho Hayakawa(Tokai University),Masahiro Yoshida(Tokai University)

キーワード: スタティック3値CAM|照合特性|Static Ternary CAM|Interrogation Properties

要約(日本語): 内容照合メモリ（Content Addressable Memory:以下CAM）は記憶情報と入力情報を並列に照合し、それらの間に一定の関係にある記憶情報を非常に早く、効率的に検索できる特徴を有している。このため、CAMは関係検索やパターンマッチングなどの連想処理に有用であると考えられている。CAMには2値CAMと3値CAMがあり、3値CAMは“1”、“0”の他に“x”（Don’t Care）が記憶できる。このため、3値CAMを用いるとより柔軟な情報検索が可能になる。しかし、従来の3値CAMは集積度や消費電力の面で問題を抱えている。そこで、本論文では従来のCAMに比べてトランジスタ数を減らした、CMOS-SRAMセルを用いたスタティック3値CAMを提案しその照合特性を明らかにする。

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