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半導体デバイス微細化の諸問題

半導体デバイス微細化の諸問題

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カテゴリ: 部門大会

論文No: TC7-4

グループ名: 【C】平成27年電気学会電子・情報・システム部門大会講演論文集

発行日: 2015/08/27

タイトル(英語): Scaling issues of semiconductor devices

著者名: 遠藤 和彦(産業技術総合研究所)

著者名(英語): Kazuhiko Endo(AIST)

キーワード: 微細化|scaling

要約(日本語): 従来、LSIの高性能化と低消費電力化は、微細化(スケーリング)により両立されてきた。しかし、LSIの最小線幅が10 nm台に突入しつつある現在、より微細なパターンの形成は技術とコストの両面から極めて困難となっている。特に、寸法ばらつき及びそれ以外の要因からデバイスの特性ばらつきが増大し、更には微細加工自体も今後のEUV等の開発が困難を極めている。本報告では、この様なポストスケーリング世代におけるLSIの諸問題と、更なるLSIの性能向上と電力削減を可能にするための新技術について概説する。

PDFファイルサイズ: 614 Kバイト

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