SOI MOSFETを用いたTHz帯アンテナ結合ボロメータの検討

カテゴリ: 部門大会

論文No: TC7-5

グループ名: 【C】平成27年電気学会電子・情報・システム部門大会講演論文集

発行日: 2015/08/27

タイトル(英語): Study on THz Antenna-Coupled Bolometer utilizing SOI MOSFET

著者名: 猪川 洋(静岡大学),植田 剛央(静岡大学),鈴木 佑弥(静岡大学),廣本宣久 (静岡大学),佐藤 弘明(静岡大学)

著者名(英語): Hiroshi Inokawa(Shizuoka University),Takeo Ueta(Shizuoka University),Yuya Suzuki(Shizuoka University),Norihisa Hiromoto(Shizuoka University),Hiroaki Satoh(Shizuoka University)

キーワード: シリコン・オン・インシュレーター|金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ|テラヘルツ|ボロメータ|SOI|MOSFET|THz|Bolometer

要約(日本語): シリコン・オン・インシュレーター(SOI)上に形成した金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を、THz帯のアンテナ結合ボロメータに応用することを検討した。具体的には、MOSFET直下のシリコン基板内に空隙を形成して熱的に絶縁し、ゲート電極をヒーター（アンテナの負荷抵抗）として利用し、温度上昇をしきい値電圧の変化として検出した。MOSFETには増幅作用があるため1000 V/Wを超える感度を実現することができた。この値は、チタンをサーミスター材料として使った同程度の寸法を持つボロメータと比較して１桁以上大きい。実効的な抵抗温度係数(TCR)を算出したところ、高TCRサーミスター材料として知られる酸化バナジウムやアモルファス・シリコンに匹敵する値であることが分かった。

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