EMC/MDシミュレーションによるナノワイヤトランジスタ特性の揺らぎ解析

カテゴリ: 部門大会

論文No: TC7-6

グループ名: 【C】平成27年電気学会電子・情報・システム部門大会講演論文集

発行日: 2015/08/27

タイトル(英語): Fluctuation Analysis of Nanowire Transistor Characteristics by EMC/MD Simulation

著者名: 渡邉 孝信(早稲田大学)

著者名(英語): Takanobu Watanabe(Waseda University)

キーワード: ナノワイヤトランジスタ|不純物原子揺らぎ|ランダム・テレグラフ・ノイズ|モンテカルロシミュレーション|分子動力学|nanowire FET|random dopant fluctuation (RDF)|random telegraph noise (RTN)|Monte Carlo simulation|molecular dynamics

要約(日本語): Impacts of various static and dynamic fluctuation sources on the nanowire transistor characteristics are studied with the ensemble Monte Carlo (EMC) and molecular dynamics (MD) hybridized simulation. It is numerically demonstrated that the random dopant fluctuation (RDF) in source and drain regions is much larger than the random telegraph noise (RTN) induced by trapped charges in gate oxide layer. Shot noise is also compared with the RTN in terms of the transported charges within a single clock cycle, and it is found to never become the dominant noise source less than 100 GHz range.

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