新材料・新構造パワー半導体デバイスを適用した高周波スイッチング電力変換回路の要素技術

カテゴリ: 部門大会

論文No: OS6-1

グループ名: 【C】平成28年電気学会電子・情報・システム部門大会講演論文集

発行日: 2016/08/31

タイトル(英語): Technical Trends on High-Frequency Switching Power Conversion Circuits and Systems with New Semiconductor Power Devices - Introduction of the Organized Session-

著者名: 三島 智和(神戸大学)

著者名(英語): Tomokazu Mishima()

キーワード: パワーエレクトロニクス|スイッチング電力変換回路|パワー半導体デバイス|炭化ケイ素(SC)パワーデバイス|窒化ガリウム(GaN)パワーデバイス共振形コンバータ|Power Electronics|Switching Power Converter|Semiconductor Power Devices|Silicon Carbide Power Devices|Gallium Nitride Power DevicesResonant Power Converters

要約(日本語): 電気エネルギーの高効率利用・変換に欠かせいないパワーエレクトロニクス回路とその応用電源システムは，装置の高周波化・小型軽量化・高電力密度化など性能指数のさらなる向上を目指し，炭化ケイ素（シリコンカーバイド: SiC）や窒化ガリウム(ガリウムナイトライド：GaN)などのワイドバンドギャップ(WBG)パワーデバイスを積極的に活用する新発展段階を迎えている。本講演では，WBGパワーデバイスを適用したパワーエレクトロニクス回路（DC-DCコンバータ，AC-DCコンバータ，高周波インバータなど）とその周辺技術（駆動回路，制御システムなど），さらに応用電源システム（ワイヤレス給電，高周波誘導加熱，マイクロ波加熱，強力超音波発生装置など）に関する最新の研究動向をレビューする。

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