ブリッジレスアクティブ整流回路を適用した非接触給電GaN-HFET共振形コンバータの実験評価

カテゴリ: 部門大会

論文No: OS6-4

グループ名: 【C】平成28年電気学会電子・情報・システム部門大会講演論文集

発行日: 2016/08/31

タイトル(英語): Experimental Evaluation of a Bridgeless Active Rectifier-applied GaN-HFET Multi-Resonant Converter for Inductive Power Transfers

著者名: 森田 栄太郎(神戸大学),三島 智和(神戸大学)

著者名(英語): Eitaro Morita|Tomokazu Mishima

キーワード: 複合共振形コンバータ|非接触給電応用|GaN　パワーデバイス|ブリッジレス回路|ソフトスイッチング高周波スイッチング|Multi-resonant converter|Inductive power transfers|GaN power transistor|Bridgeless topology|Soft-switchingHigh-frequency switching

要約(日本語): 高速かつ低オン抵抗など優れた特性を有する窒化ガリウム(GaN)パワートランジスタに着目し，筆者らは先に，単体でノーマリーオフを実現した600V耐圧のGaN-Heterojunction Field Effect Transistor(HFET)を電磁誘導方式非接触給電(IPT)用ゼロ電圧ソフトスイッチング(ZVS)複合共振形コンバータに適用して，その有用性を実証している。　本稿では，試作器を基に，ブリッジレス回路を適用したIPT用複合共振形コンバータの2次側PWM制御による電力制御特性とその有用性を実証する。特に，2次側アクティブ整流回路におけるGaN-HFETの順方向および逆導通FETモードによる優れた効率特性を明らかにしたので，その結果を報告する。

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