CMOS構造レベルシフタを用いた負の高電圧発生回路

カテゴリ: 部門大会

論文No: PS3-1

グループ名: 【C】平成28年電気学会電子・情報・システム部門大会講演論文集

発行日: 2016/08/31

タイトル(英語): Negative High Voltage Generator Using CMOS Type Level Shifters

著者名: 植田 晃裕(東海大学),吉田 正廣(東海大学)

著者名(英語): Akihiro Ueda|Masahiro Yoshida

キーワード: レベルシフタ|チャージポンプ|液晶ディスプレイ|低温ポリシリコン薄膜トランジスタ|Level shifter|Charge pump|LCD|LTPS-TFT

要約(日本語): 本論文では、LTPS-TFT(Low-Temperature Poly-Silicon Thin Film Transistor：低温ポリシリコン薄膜トランジスタ)から成る、CMOS構造レベルシフタを用いた負の高電圧発生回路を提案する。TFT-LCDパネルを駆動するための負の高電圧は、高電圧発生回路で生成し、TFT-LCDパネルへ供給する。本論文で提案する負の高電圧発生回路は、チャージポンプ回路とチャージポンプ回路の制御信号を発生させるレベルシフタで構成される。チャージポンプ回路は2段で構成されており、電源電圧VDD[V]から、-2VDD[V]の出力電圧を発生させる。提案した回路の性能を検証するために回路シミュレーションソフトSmart-Spiceを用いて動作特性の解析を行った。その結果、電源電圧5[V]、動作周波数250[kHz]、出力電流200[?A]の条件下で、提案する高電圧発生回路は、約-8.6[V]の電圧を出力した。また、提案回路は従来回路に比べ、TFT回路部分の面積を約18％削減し、消費電力を約9%改善した。

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