しきい電圧の温度依存性を低減した等価MOSFET

カテゴリ: 部門大会

論文No: PS3-10

グループ名: 【C】平成28年電気学会電子・情報・システム部門大会講演論文集

発行日: 2016/08/31

タイトル(英語): Equivalent MOSFET reduced temperature dependence of threshold voltage

著者名: 山口 拓哉(明治大学),奥 達哉(明治大学),関根 かをり(明治大学)

著者名(英語): Takuya Yamaguchi|Tatsuya Oku|Kawori Sekine

キーワード: MOSFET|温度特性|しきい電圧しきい電圧|MOSFET|temperature characteristic|threshold voltage

要約(日本語): 回路設計において、MOSFETの温度特性は回路の動作に大きな影響を与える。MOSFETはしきい電圧と移動度に温度依存性を持っているが、今回はしきい電圧に着目し、しきい電圧の温度依存性がないMOSFETと等価的な動作をする回路を提案する。　提案回路では、2つのMOSFETを弱反転領域で動作させることで実現しているPTAT電圧発生回路と、同一の形状比を持つ二つのMOSFETで構成したレベルシフト回路を用いてしきい電圧の温度依存性を低減している。

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