SiCスーパージャンクションデバイス向けトレンチ埋込エピタキシャル成長の数値解析

カテゴリ: 部門大会

論文No: TC15-1

グループ名: 【C】平成29年電気学会電子・情報・システム部門大会講演論文集

発行日: 2017/09/06

タイトル(英語): Numerical Analysis of Trench-filling Epitaxial Growth for SiC Superjunction Devices

著者名: 望月 和浩(産業技術総合研究所),紀 世陽(産業技術総合研究所),小杉 亮治(産業技術総合研究所),米澤 喜幸(産業技術総合研究所),奥村 元(産業技術総合研究所)

著者名(英語): Kazuhiro Mochizuki|Shiyang Ji|Ryoji Kosugi|Yoshiyuki Yonezawa|Hajime Okumura

キーワード: トレンチ埋込|エピタキシャル成長|SiC|ギブス?トムソン効果|曲率半径スーパージャンクション|trench filling|epitaxial growth|SiC|Gibbs-Thomson effect|radius of curvaturesuperjunction

要約(日本語): Trench-filling epitaxial growth for SiC superjunction devices was numerically analyzed based on a simulation model for continuous fluid approximation (as opposed to molecular beam approximation) including the Gibbs?Thomson effect. With the use of the radii of curvature at the top and bottom of the trenches, the proposed model well reproduced the measured dependence of the growth rate on the trench pitch (L) in the case of narrow (L ? 6.0 μm) trenches.

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