GaN縦型SBDおよびトレンチMOSFET

カテゴリ: 部門大会

論文No: TC15-2

グループ名: 【C】平成29年電気学会電子・情報・システム部門大会講演論文集

発行日: 2017/09/06

タイトル(英語): GaN vertical SBDs and trench MOSFETs

著者名: 岡 徹(豊田合成),伊奈 務(豊田合成),上野 幸久(豊田合成),西井 潤弥(豊田合成),田中 成明(豊田合成),長谷川 一也(豊田合成),安西 孝太(豊田合成),村上 倫章(豊田合成)

著者名(英語): Tohru Oka|Tsutomu Ina|Yukihisa Ueno|Junya Nishii|Nariaki Tanaka|Kazuya Hasegawa|Kota Yasunishi|Noriaki Murakami

キーワード: 窒化ガリウム|SBD|MOSFET|縦型|GaN基板|Gallium nitride|SBD|MOSFET|vertical|GaN substrates

要約(日本語): 本稿では、自立GaN基板上縦型GaNパワーデバイス開発の事例として、高耐圧・大電流動作縦型GaNショットキーダイオード(SBD)、および、縦型GaNトレンチ電界効果トランジスタ(MOSFET)の高耐圧化・低オン抵抗化技術に関して報告する。耐圧800V以上，電流50A以上で動作するSBDを作製し、SiC SBDと比較して逆回復特性が良好でリカバリー損失が低減できることを実証した。トランジスタに関しては、トレンチMOSFETによりノーマリオフ動作させるとともに、フィールドプレート終端構造適用による高ブロッキング電圧(1.6kV)、および、チャネル・ドリフト層設計の最適化と正六角形セルレイアウト適用による低オン抵抗(1.2kV級で1.8mΩ・cm²)をそれぞれ実現した．また、MOSFETのマルチセル化により10Aを超える動作電流とスイッチング特性を実証した。

PDFファイルサイズ: 470 Kバイト