組成傾斜InGaAsSb/GaAsSbベースDHBTのInGaPエミッタ適用による電流利得向上

カテゴリ: 部門大会

論文No: TC15-3

グループ名: 【C】平成29年電気学会電子・情報・システム部門大会講演論文集

発行日: 2017/09/06

タイトル(英語): High current-gain InP-based double heterojunction bipolar transistors with compositionally-graded-InGaAsSb/GaAsSb base and widegap InGaP emitter

著者名: 星 拓也(NTT先端集積デバイス研究所),柏尾 典秀(NTTデバイスイノベーションセンタ),白鳥 悠太(NTT先端集積デバイス研究所),栗島 賢二(NTT先端集積デバイス研究所),杉山 弘樹(NTT先端集積デバイス研究所),井田 実(NTT先端集積デバイス研究所),松崎 秀昭(NTT先端集積デバイス研究所)

著者名(英語): Takuya Hoshi|Norihide Kashio|Yuta Shiratori|Kenji Kurishima|Hiroki Sugiyama|Minoru Ida|Hideaki Matsuzaki

キーワード: ヘテロ接合バイポーラトランジスタ|InGaAsSbベース|電流利得|InGaPエミッタ|HBT|InGaAsSb base|Current gain|InGaP emitter

要約(日本語): GaAsSb系材料をベース層に有するInP系ダブルヘテロ接合バイポーラトランジスタ(DHBT)は、高い耐圧と電流利得遮断周波数(fT)を両立可能なデバイスであり、高出力・広帯域なアナログIC向けデバイスとして期待される。しかし、InPエミッタとGaAsSbベースとがtype-IIバンドラインナップを形成するため、エミッタ―ベース接合での再結合電流が大きく、InGaAsベースHBTに比べて電流利得が小さい傾向にある。今回、我々が以前より検討を進めている、組成・ドーピング傾斜InGaAsSb/GaAsSbベースDHBTに、新たにInGaPエミッタを適用することで、InGaAsベースHBTと同程度の電流利得を得たので報告する。

PDFファイルサイズ: 801 Kバイト