化合物半導体デバイスの絶縁膜による表面保護

カテゴリ: 部門大会

論文No: TC15-4

グループ名: 【C】平成29年電気学会電子・情報・システム部門大会講演論文集

発行日: 2017/09/06

タイトル(英語): Surface protection of compound semiconductor devices by insulating films

著者名: 奥 友希(三菱電機),戸塚 正裕(三菱電機)

著者名(英語): Tomoki Oku|Masahiro Totsuka

キーワード: 化合物半導体|表面保護|絶縁膜|耐湿性|界面|Compound Semiconductor|Surface Protection|Insulating Film|Moisuture resistance|Interface

要約(日本語): GaAsやGaNに代表される化合物半導体デバイスは高周波特性や高出力特性に優れるため、通信・レーダ等の用途で今後とも大きな需要が見込まれている。一方、デバイスを製造する観点から見ると、高いプロセス温度が使えないこと、シリコンデバイスでのSi/SiO2界面に相当する良質な半導体/絶縁膜界面が得られないという課題を抱えている。このことが、化合物半導体デバイスの信頼性や特性に与える影響は大きく、今後の適用拡大への阻害要因となりうる。本講演では化合物半導体デバイスの絶縁膜保護による耐湿性向上及び半導体/絶縁膜界面に起因する特性低下の抑制について、我々の取組を紹介するとともに、課題解決に向けた将来展望を考えたい。

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