移動体基地局用窒化ガリウムトランジスタの開発

カテゴリ: 部門大会

論文No: TC15-6

グループ名: 【C】平成29年電気学会電子・情報・システム部門大会講演論文集

発行日: 2017/09/06

タイトル(英語): GaN HEMT Development for Mobile Base Stations

著者名: 井上 和孝(住友電気工業),市川 弘之(住友電気工業),菊池 憲(住友電気工業),出口 博昭(住友電工デバイス・イノベーション),八巻 史一(住友電工デバイス・イノベーション)

著者名(英語): Kazutaka Inoue|Hiroyuki Ichikawa|Ken Kikuchi|Hiroaki Deguchi|Fumikazu Yamaki

キーワード: 窒化ガリウム|高移動度トランジスタ|高周波|基地局|高効率高出力|GaN|HEMT|high frequency|base station|high efficiencyhigh power

要約(日本語): 電子速度と高い耐破壊耐圧を有する窒化ガリウム(GaN)を使ったトランジスタ(GaN HEMT)は，携帯電話基地局アンプ小型化や消費電力低減に必須のデバイスとして広く用いられるようになってきた．現在の主流である4G/LTEシステムでは，L/S帯での高いバックオフ効率と，Siデバイスに対抗できる価格競争力が求められる．バックオフ効率の向上はドハティ回路形式の採用とこれに適したGaN HEMT素子の最適化が主な構成技術となる．価格競争力に関しては，熱伝導に優れるSiC基板を採用することでの素子放熱特性の向上と素子小型化が，デバイス全体のコスト低減に有効と考え，製品設計を進めてきた．本発表では当社の一連のGaN HEMT技術開発を概観・報告する．また，2020年以降の本格普及が期待される5Gシステムでは，動作周波数の向上と一層の小型・高効率化が求められ，5Gに向けてGaN HEMTの高周波化と更なる効率向上の取り組みについても説明する．

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