ソース面積によるMOSFETを用いたカレントミラー回路の温度依存性の低減

カテゴリ: 部門大会

論文No: GS13-6

グループ名: 【C】平成30年電気学会電子・情報・システム部門大会プログラム

発行日: 2018/09/05

タイトル(英語): Reduction of temperature dependence of current mirror circuit by source area of MOSFET

著者名: 北島 浩司(明治大学),関根 かをり(明治大学),和田 和千(明治大学)

著者名(英語): Koji Kitajima|Kawori Sekine|Kazuyuki Wada

要約(日本語): MOSFET を用いたカレントミラー回路は様々な用途に利用されている。微細化された集積回路では温度依存性の低減が重要な課題となっている。本研究では，180nm Bulk CMOSプロセスを用いたカレントミラー回路を設計し，ソース面積による温度依存性の低減を行った。基本的なカレントミラー回路はソース端子とバルク端子を接続し，バルクとソースの PN 接合の漏れ電流は出力電流に影響しない。本研究で用いた低電圧カレントミラー回路はゲート端子とバルク端子を接続するためバルクソース間の pn 接合の漏れ電流が出力電流に影響する。先行研究で行われていたチャネル長の変化による温度依存性を低減する方法は，入力電流の増加に伴い漏れ電流も増加するため温度依存性の低減に限界があった。本研究では，チャネル長に加えソース面積を変化することで漏れ電流を抑え，入力電流が大きい場合でも温度依存性の低減を可能にした。

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