SOI-BCDプロセスにおける支持基板伝播ノイズ解析技術の検討

カテゴリ: 部門大会

論文No: TC13-1

グループ名: 【C】平成30年電気学会電子・情報・システム部門大会プログラム

発行日: 2018/09/05

タイトル(英語): Analysis of Disturbance Propagation through Silicon Substrates in SOI-BCD Process

著者名: 大山 航(デンソー),近藤 陽介(デンソー),生駒 大策(デンソー),石川 靖之(デンソー),村田 明隆(デンソー),我妻 秀治(デンソー),永田 真(神戸大学)

著者名(英語): Ko Oyama|Yosuke Kondo|Daisaku Ikoma|Yasuyuki Ishikawa|Akitaka Murata|Shuji Agatsuma|Makoto Nagata

キーワード: イミュニティ|SOI-BCD|シリコン支持基板ノイズ|SPICE解析|Immunity|SOI-BCD|silicon substrate disturbance|SPICE analysis

要約(日本語): 本稿では，SOI-BCDプロセスにおけるシリコン支持基板を伝播した外乱がアナログ回路動作に及ぼす影響について，評価とシミュレーションによる解析を行った結果について述べる。DPI試験機を用いて，ベアチップ状態のICのシリコン支持基板へ外乱を注入し，IC内のWidlar BGR回路の出力応答の評価を行った。IC上で回路および素子が未配置の領域であるField領域を，ICの回路GNDと低インピーダンスで接続することが，シリコン支持基板からの外乱に対する回路のイミュニティ性能の向上に有効であることが明らかになった。また，ICの2Dレイアウトと縦方向構造情報，および物性値情報から，シリコン支持基板の伝播特性をRCLG要素でモデリングし，SPICE解析に組み込むことでシリコン支持基板を伝播した外乱がアナログ回路特性に与える影響をシミュレーションで解析可能な環境を構築した。

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