LDOにおけるRFノイズの影響

カテゴリ: 部門大会

論文No: TC13-2

グループ名: 【C】平成30年電気学会電子・情報・システム部門大会プログラム

発行日: 2018/09/05

タイトル(英語): Influence of RF noise on LDO

著者名: 日野 高宏(リコー電子デバイス),神澤 悠輔(リコー電子デバイス),日高 慎平(リコー電子デバイス)

著者名(英語): Takahiro Hino|Yuusuke Kanzawa|Shinpei Hidaka

キーワード: EMC|EMC|EMS

要約(日本語): 近年，車載に搭載される電子機器の増加や，搭載機器の高周波化により，車載内部ではあらゆる周波数の電波が飛び交う環境となっている。このような背景から，車載搭載電子機器では，EMC(電磁両立性)を満たすことがより重要となっている。EMCの中には，妨害電波を規制するEMI(Electro Magnetic Interference)と外来ノイズからの耐性を示すEMS(Electro Magnetic Susceptibility)があり，本研究では，電源ICであるLDOのEMSに関して報告する。TEMセル試験によりLDOに電波を照射すると数百MHzの高周波帯域にて，出力電圧の低下を確認した。出力電圧の低下の原因を調査する為，DPI(Direct Power Injection)法を用いて，出力端子にRFノイズを注入して評価を実施した。その結果，TEMセル試験同様，数百MHzの高周波帯域にて，出力電圧が低下することが確認できた。また，出力電圧が低下する原因のメカニズムを調査したので報告する。

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