シリコン貫通配線を用いた高信頼三次元集積化技術の開発

カテゴリ: 部門大会

論文No: TC14-1

グループ名: 【C】平成30年電気学会電子・情報・システム部門大会プログラム

発行日: 2018/09/05

タイトル(英語): Development of Highly Reliable 3D Integration Technology with TSV

著者名: 田中 徹(東北大学)

著者名(英語): Tetsu Tanaka()

要約(日本語): ムーアの法則と言われる微細化に依拠する集積回路(IC)の高性能化が物理的限界に近づいている。一方，微細化と異なり，従来のICチップを積層して，各ICチップをシリコン貫通配線(Through Si Via;TSV)によって電気的に接続して高性能化を実現する三次元集積回路(3D-IC)の開発が精力的に行われている。すでに，裏面照射型CMOSイメージセンサやHBM (High Bandwidth Memory)と言われる積層型DRAMなどの3D-ICの製品化が始まっている。一方，3D-ICの技術開発の過程で，TSVや薄化シリコン基板特有の信頼性課題も顕在化している。本講演では，3D-IC特有の信頼性課題と新しい評価技術をベースに，TSVを用いた高信頼三次元集積化技術について発表する。

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