ダメージレス加工によるGe-FinFETの特性向上

カテゴリ: 部門大会

論文No: TC14-2

グループ名: 【C】平成30年電気学会電子・情報・システム部門大会プログラム

発行日: 2018/09/05

タイトル(英語): Improvements of Ge-FinFET by damageless fabrication.

著者名: 遠藤 和彦(産業技術総合研究所)

著者名(英語): Kazuhiko Endo()

キーワード: ゲルマニウム|フィントランジスタ|Ge|FinFET

要約(日本語): 近年の本格的なIT化に伴い，動画像の送信や各種ITサービスによる情報量は，10年で10倍の勢いで増大している。これに伴いIT機器の消費電力の爆発的な増大が予測されている。この様なIT機器の発熱防止には，待機時の消費電力を低減化することが有効であり，LSI素子の低消費電力化が有効である。近年，待機時の消費電力を防止するための新型トランジスタが提案されている。その一つに，ゲルマニウムトランジスタが挙げられる。しかしながら，ゲルマニウムは界面の制御が難しい材料であり，トランジスタとしての実用化を阻んでいた。本報告では，ゲルマニウムトランジスタの特性向上のために行った，ダメージレス加工技術について報告する。

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