少数キャリアライフタイムによる半導体プロセスの評価手法の提案

カテゴリ: 部門大会

論文No: TC14-5

グループ名: 【C】平成30年電気学会電子・情報・システム部門大会プログラム

発行日: 2018/09/05

タイトル(英語): A Method for Semiconductor Process Evaluation based on Minority Carrier Lifetime Extraction

著者名: 角嶋 邦之(東京工業大学),星井 拓也(東京工業大学),渡辺 正裕(東京工業大学),執行 直之(東京工業大学),古川 和由(東京工業大学),更屋 拓哉(東京大学),高倉 俊彦(東京大学),伊藤 一夫(東京大学),福井 宗利(東京大学),鈴木 慎一(東京大学),竹内 潔(東京大学),宗田 伊理也(東京工業大学),若林 整(東京工業大学),沼沢 陽一郎(明治大学),小椋 厚志(明治大学),西澤 伸一(九州大学),筒井 一生(東京工業大学),平本 俊郎(東京大学),大橋 弘通(東京工業大学),岩井 洋(東京工業大学)

著者名(英語): Kuniyuki Kakushima|Takuya Hoshii|Masahiro Watanabe|Naoyuki Shigyo|Kazuyoshi Furukawa|Takuya Saraya|Toshihiko Takakura|Kazuo Ito|Munetoshi Fukui|Shinichi Suzuki|Kiyoshi Takeuchi|Iriya Muneta|Hitoshi Wakabayashi|Yoichiro Numasawa|Atsushi Ogura|Shin-ichi Nishizawa|Kazuo Tsutsui|Toshiro Hiramoto|Hiromichi Ohashi|Hiroshi Iwai

キーワード: 半導体プロセス|少数キャリア|Semiconductor Process|Minority Lifetime

要約(日本語): 電気的に少数キャリア寿命を測定する手法を提案する。並列に形成したpn接合の中心の電流をその他のpn接合の接続状態を変えて測定することで，少数キャリア寿命を推定することができる。デバイスシミュレーションでその有効性を示した。また，半導体プロセスの評価として2つの熱酸化条件を比べたところ，低温長時間の熱酸化条件で少数キャリア寿命の劣化を抑制できることが示された。

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