BTQBT薄膜を用いた有機静電誘導トランジスタ

カテゴリ: 部門大会

論文No: TC18-4

グループ名: 【C】平成30年電気学会電子・情報・システム部門大会プログラム

発行日: 2018/09/05

タイトル(英語): Organic static induction transistor using BTQBT thin film

著者名: 小林 心(諏訪東京理科大学),工藤 一浩(千葉大学),渡邊 康之(諏訪東京理科大学)

著者名(英語): Shin Kobayashi|Kazuhiro Kudo|Yasuyuki Watanabe

キーワード: 有機トランジスタ|静電誘導トランジスタ|高移動度|バンド分散|エネルギー分散型X線分析マクスウェルワグナーモデル|Organic transistor|Static induction transistor|high carrier mobility|Band dispersion|Energy dispersive X-ray spectroscopyMaxwell-Wagner model

要約(日本語): 有機静電誘導トランジスタ（OSIT）は，大電流，高速動作が可能な縦型トランジスタとして研究が行われている。しかし，ゲート電極の微細構造はOSITの動作解析において重要であるが，その構造についてはまだ詳細には検討されていない。そこで，本研究では，電界放出型走査型電子顕微鏡，原子間力顕微鏡，約10nmのスポット分解能を有するエネルギー分散型X線分光法を用いて詳細にゲート電極構造を調べた。ゲート電極は，明瞭なゲートギャップを有さず，むしろ連続的または多孔質のアルミニウム膜のいずれかで構成されていた。本研究では，高移動度有機半導体として期待されているBTQBT薄膜を活性層に用いたOSITを作製し，移動度や動作特性について検討を行った。

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