外付けインダクタを用いた電流源型ゲートドライバとパワーHEMTの単一集積化

カテゴリ: 部門大会

論文No: GS2-4

グループ名: 【C】2019年電気学会電子・情報・システム部門大会プログラム

発行日: 2019/08/28

タイトル(英語): Monolithic integration of current source gate driver and power GaN HEMT using external inductor

著者名: 長尾 詢一郎(京都工芸繊維大学),山下 夕貴(京都工芸繊維大学),古田 潤(京都工芸繊維大学),小林 和淑(京都工芸繊維大学)

著者名(英語): Junichiro Nagao|Yuki Yamashita|Jun Furuta|Kazutoshi Kobayashi

キーワード: 電流源型ゲートドライバ|GaN-HEMT|単一集積化|高速スイッチング|current source gate driver|GaN-HEMT|monolithic integration|high-speed-switching

要約(日本語): SiパワーMOSFETに代わる次世代パワー半導体としてGaN HEMTの研究が進められている。HEMTはSiパワーMOSFETと比べて，高速動作が可能なデバイスであるため，小型軽量化が要求される電力変換回路への応用が期待されている。しかし，ディスクリート型ゲートドライバでパワーHEMTを駆動する従来の手法では，配線などによる寄生成分によってパワーHEMTのもつ高速スイッチング性能を十分に引き出せない課題が存在する。HEMTは横型デバイスであるため，ゲートドライバとパワーHEMTの単一集積化が可能であり，寄生成分を最小限に抑制することでパワーHEMTの高速スイッチング性能を十分に引き出すことが出来る。本稿では，インダクタを外付けした電流源型ゲートドライバとパワーHEMTを1チップに単一集積化し，外付けインダクタを電流源として動作させることで，パワーHEMTの10MHzスイッチング動作を実現した。

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