培養神経回路網を用いた商用周波強磁界に対する刺激応答の評価

カテゴリ: 部門大会

論文No: GS7-7

グループ名: 【C】2019年電気学会電子・情報・システム部門大会プログラム

発行日: 2019/08/28

タイトル(英語): Evaluation of high-intensity power frequency magnetic field exposure induced stimulus responses using cultured neuronal networks

著者名: 齋藤 淳史(電力中央研究所),高橋 正行(電力中央研究所),中園 聡(電力中央研究所),牧野 佳(首都大学東京),鈴木 敬久(首都大学東京),神保 泰彦(東京大学)

著者名(英語): Atsushi Saito|Takahashi Masayuki|Nakasono Satoshi|Makino Kei|Suzuki Yukihisa|Jimbo Yasuhiko

キーワード: 培養神経回路網|商用周波磁界|刺激応答|多点電極アレイ|同期バースト|Cultured neuronal network|Power frequency magnetic field|Stimulus response|Multi-electrode array|Synchronized bursting

要約(日本語): 低周波帯（主に1 Hz?100 kHz）の電磁界から人体を防護するために，神経系への刺激作用を根拠とする国際的なばく露ガイドラインが定められている。送変電設備等に関連する商用周波（50／60 Hz）では，網膜や脳における刺激応答の閾値が制限値の根拠となっているが，近年ではこれらの閾値に関して，生物学的なメカニズムを含むより詳細な評価の必要性が指摘されている。本研究では，商用周波磁界ばく露に対する脳・中枢神経回路網への刺激作用の閾値解明を目的に，最大400 mT（実効値）の商用周波強磁界をばく露した際の培養神経回路網への刺激応答を細胞外多点電位記録法によりリアルタイムで検出できる実験システムを構築した。また，ラット大脳皮質由来初代培養神経回路網を用いた磁界ばく露実験により，刺激応答が生じるばく露強度や神経活動の調節メカニズムの推定を試みた。本発表では，実験システムの概要を中心にこれまでに得た知見を紹介する。

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