グラフェン上巨大圧電性ScAlN薄膜の弾性波デバイス応用

カテゴリ: 部門大会

論文No: GS14-2

グループ名: 【C】2019年電気学会電子・情報・システム部門大会プログラム

発行日: 2019/08/28

タイトル(英語): ScAlN piezoelectric film grown on CVD synthesized graphene for piezoelectric devices application

著者名: 天野 凌輔(早稲田大学／各務記念材料技術研究所),柳谷 隆彦(早稲田大学／各務記念材料技術研究所／JSTさきがけ)

著者名(英語): Ryosuke Amano|Takahiko Yanagitani

キーワード: 圧電薄膜|ScAlN|グラフェングラフェン|piezoelectric film|ScAlN|graphene

要約(日本語): 移動体通信機器での利用周波数は密集化，高帯域化が進んでおり，周波数の分離を行う周波数フィルタの重要性が増している。現在周波数フィルタとして多く利用されているSurface Acoustic Wave(SAW)フィルタでは高周波帯域への対応は困難であり，Film Bulk Acoustic Resonator(FBAR)フィルタの利用が今後進むと考えられる。実用化されているFBARフィルタは多結晶薄膜が使用されているが，単結晶薄膜を使用することで機械的Q値の向上が期待される。本研究では，単結晶FBAR フィルタ作製プロセスの検討を目的としている。グラフェン上に巨大圧電性を持つScAlN 薄膜を作製し，グラフェン上のScAlN 薄膜の特性を確認した。さらにグラフェン上に成膜したScAlN 薄膜の剥離を行い，グラフェン上圧電薄膜の転写可能性について検討した結果も報告する。

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