基板付き薄膜構造を用いた圧電薄膜の機械的品質Qm値の推定法

カテゴリ: 部門大会

論文No: GS14-4

グループ名: 【C】2019年電気学会電子・情報・システム部門大会プログラム

発行日: 2019/08/28

タイトル(英語): A method for extacting the mechanical Q factor Qm of the piezoelectric film without removing the substrate

著者名: 木下 紗里那(早稲田大学／各務記念材料技術研究所),柳谷 隆彦(早稲田大学／各務記念材料技術研究所／JSTさきがけ)

著者名(英語): Sarina Kinoshita|Takahiko Yanagitani

キーワード: 機械的品質Qm|AlN|ScAlN|圧電効果|周波数フィルタ|mechanical Q factor|AlN|ScAlN|piezoelectricity|frequency filter

要約(日本語): 近年の情報通信技術の発展に伴い，利用可能な周波数帯域は非常に逼迫しており，急峻な周波数フィルタの需要が高まっている。また，高周波帯での周波数フィルタには圧電薄膜が用いられるBAWフィルタが実用化されている。その品質を決定する重要なパラメータの一つが，圧電薄膜の機械的品質係数Qm値である。薄膜のQm値が高いほど，フィルタの急峻性が高くなる。Qm値の評価には一般的にウェハ上に圧電薄膜を作製したのちに，基板を取り除く工程が必要である。この工程なしでQm値測定ができればウェハ段階でのベンチマークが可能となり生産性の向上に寄与することが出来る。本研究では，基板を取り除く必要のないQm値推定方法を提案し，ScAlNとAlNの基板付き構造を用いて薄膜Qm値評価を行った。

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