スパッタ法によるScAlN厚膜を用いたVHF帯高効率超音波トランスデューサ

カテゴリ: 部門大会

論文No: GS14-5

グループ名: 【C】2019年電気学会電子・情報・システム部門大会プログラム

発行日: 2019/08/28

タイトル(英語): Sputter-grown ScAlN Thick-Film Ultrasonic Transducer in the VHF range

著者名: 佐藤 裕友(早稲田大学／各務記念材料技術研究所),柳谷 隆彦(早稲田大学／各務記念材料技術研究所／JSTさきがけ)

著者名(英語): Yusuke Sato|Takahiko Yanagitani

キーワード: トランスデューサ|超音波イメージング|圧電厚膜圧電厚膜|ultrasonic transducer|ultrasonic imaging|thick piezoelectric film

要約(日本語): 近年では，超音波を利用したデバイスが普及し生活に組み込まれている。反射波を利用して画像化する超音波イメージングやスマホなどに搭載される周波数フィルタがその一例である。超音波を発生させるためには圧電材料の逆圧電効果(圧電体に電気信号を入力し，歪みを発生させる効果)を利用する。超音波の発生に用いられる圧電体を評価するうえで，指標の1つとして挙げられるのが電気機械結合係数である。電気機械結合係数が高ければ高いほど，逆圧電効果における電気尊号から超音波への変換効率が高いことになる。電気機械結合係数の高い材料として，PZT(Pb(Zr，Ti)O3やPMN-PT(PbMgNbO3-PbTiO3)が下られる。しかし，これらの材料は鉛を用いており，作成の際に体に影響を及ぼす可能性がある。そこで鉛を利用していないScAlNを用いて，医療などで用いられている100MHz以下の超音波に対応したデバイスを作製することとした。

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