F2レーザーを用いたポリカーボネート上のAl薄膜のレジストレスパターニング

カテゴリ: 部門大会

論文No: TC5-5

グループ名: 【C】2019年電気学会電子・情報・システム部門大会プログラム

発行日: 2019/08/28

タイトル(英語): Resist-less patterning of Al thin film on polycarbonate by F2 laser irradiation

著者名: 吉田 剛(防衛大学校),大越 昌幸(防衛大学校)

著者名(英語): Tsuyoshi Yoshida|Masayuki Okoshi

キーワード: 薄膜|パターニング|真空紫外レーザー真空紫外レーザー|thin film|patterning|VUV laser

要約(日本語): ポリカーボネート（=PC）上のAl薄膜に対する157 nm F 2レーザーを用いたフォトレジストレスパターニングの手法について報告する。表面にシリコンハードコート（=SHC）層を持つPC上に真空蒸着したAl薄膜上に直径500 μmのドットパターンを持つフォトマスクを配置し，F 2レーザーを照射した。その後，0.5 wt%のKOH水溶液によりエッチングを行うと，F2レーザーを照射した部分のみAl薄膜が除去され，フォトマスクと同様のドットパターンが得られた。このプロセスの機構を理解するために，XPS測定によりAl薄膜表面を調べたところ，F 2レーザーにより表面がAl 2 O 3に改質され，化学エッチングからAl薄膜を保護することが分かった。さらに，Al薄膜下のPC表面のATR-IRおよびXPS測定により，Al薄膜下においてPC表面のSHC層がF 2レーザー照射により酸化され，AlとSHC界面にAl-O-Si結合が形成されていることを示唆する結果が得られた。

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