4H-SiC MOSFETにおける反転層内の平均的な電子位置とキャリア散乱機構の関係

カテゴリ: 部門大会

論文No: TC15-1

グループ名: 【C】2019年電気学会電子・情報・システム部門大会プログラム

発行日: 2019/08/28

タイトル(英語): Carrier scattering mechanisms in inversion layer of 4H-SiC MOSFETs as a function of inversion-carrier averaged distance from MOS interface

著者名: 野口 宗隆(三菱電機),岩松 俊明(三菱電機),網城 啓之(三菱電機),渡邊 寛(三菱電機),喜多 浩之(東京大学),三浦 成久(三菱電機)

著者名(英語): Munetaka Noguchi|Toshiaki Iwamatsu|Hiroyuki Amishiro|Hiroshi Watanabe|Koji Kita|Naruhisa Miura

キーワード: SiC|反転層|移動度移動度|SiC|inversion layer|mobility

要約(日本語): SiC MOSFETにおける反転層移動度の評価にはホール効果移動度(μHall)が広く用いられる。μHallはp型アクセプタ濃度(NA)の増加に伴い減少し，p型ウェル領域へ負のボディー電圧(VB)を引加することでも減少する。μHallと反転層内の平均的な電子位置(ZAV)の関係に着目すると，異なるNAやVBによらずμHallとZAVの関係は同一の曲線上にプロットされることが報告されている。一方で，μHallを制限する散乱機構は，フォノン散乱，クーロン散乱，界面ラフネス散乱であると考えられており，近年これらの各散乱移動度を実験的に分離する手法が提案された。本研究では，4H-SiC MOSFETにおける反転層内の散乱機構を反転層内の平均的な電子位置(ZAV)に着目し評価したので報告する。

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