縦型酸化ガリウムトランジスタのデバイスプロセスと特性

カテゴリ: 部門大会

論文No: TC15-2

グループ名: 【C】2019年電気学会電子・情報・システム部門大会プログラム

発行日: 2019/08/28

タイトル(英語): Device Processing and Characteristics of Vertical Gallium Oxide Transistors

著者名: 東脇 正高(情報通信研究機構),Wong Man Hoi(情報通信研究機構),後藤 健(東京農工大学),村上 尚(東京農工大学),熊谷 義直(東京農工大学)

著者名(英語): Masataka Higashiwaki|Man Hoi Wong|Ken Goto|Hisashi Murakami|Yoshinao Kumagai

キーワード: 酸化ガリウム|トランジスタ|縦型縦型|Gallium oxide|Transistor|Vertical

要約(日本語): 酸化ガリウム (Ga₂O₃) は，その非常に大きなバンドギャップ (4.5 eV) に起因するパワーデバイス用途に適した優れた物性，および融液成長単結晶バルクおよびウェハーの存在から注目を集めている。更に，もう一つの重要な特徴として簡便なイオン注入ドーピング技術が適用可能であることが挙げられる。我々は，以前開発したシリコン (Si) イオン注入n 型ドーピングに引き続き，最近ディープアクセプタである窒素 (N) を用いたp型イオン注入ドーピング技術の開発にも成功した。本講演では，Si，N多段イオン注入ドーピングを用いた縦型Ga₂O₃ノーマリーオントランジスタの試作プロセス，および作製したデバイスの特性について紹介する。

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