化合物半導体デバイスの環境要因からの保護

カテゴリ: 部門大会

論文No: TC15-3

グループ名: 【C】2019年電気学会電子・情報・システム部門大会プログラム

発行日: 2019/08/28

タイトル(英語): Protecting compound semiconductor devices from environmental factors

著者名: 奥 友希(三菱電機),戸塚 正裕(三菱電機),佐々木 肇(三菱電機)

著者名(英語): Toomoki Oku|Masahiro Totsuka|Hajime Sasaki

キーワード: 化合物半導体|表面保護|絶縁膜|耐環境性|Compound Semiconductor|Surface Protection|Insulating Film|Environmental resistance

要約(日本語): 化合物半導体デバイスが晒される環境要因にはパーティクル，湿度，化学物質，電界，放射線など多岐に渡る。しかも，ワイドバンドギャップ化に伴う高電圧化による高電界領域の発生・動作温度の上昇は，環境要因の加速条件として働く。前報では，環境要因の湿度にフォーカスし，耐湿性に優れる保護膜の形成方法を実験や分子軌道計算法を適用し評価した。本報告では①Si3N4膜以上に優れた耐湿性を有する保護膜の開発，②耐湿性以外の環境要因（ガス，ハロゲン，電界，温度，放射線等）に対する耐性，③簡便な評価・分析方法について検討したので，その成果を報告する。

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