薄層高ドープコレクタ層の導入によるInGaP/GaAsSb/InGaAsSb/InP DHBT高周波特性の改善

カテゴリ: 部門大会

論文No: TC15-4

グループ名: 【C】2019年電気学会電子・情報・システム部門大会プログラム

発行日: 2019/08/28

タイトル(英語): Improvement of RF performance of InGaP/GaAsSb/InGaAsSb/InP DHBTs by inserting high-doped thin collector layer

著者名: 白鳥 悠太(日本電信電話),星 拓也(日本電信電話),松崎 秀昭(日本電信電話)

著者名(英語): Yuta Shiratori|Takuya Hoshi|Hideaki Matsuzaki

キーワード: ヘテロ接合バイポーラトランジスタ|インジウムリン|Heterojunction bipolar transistor|InP

要約(日本語): Type-II InGaP/GaAsSb/InP-DHBTは，簡易な構造で(InP)コレクタ層を形成できることから，高耐圧・高速性に優れたトランジスタである。今回，ベース近傍のコレクタ層に対して局所的に高ドーピングすることで急峻なポテンシャルドロップを形成する，いわゆるランチャー構造をコレクタ層に導入し，電子速度向上による高速化を試みた。厚さ13nmのp-GaAsSb/p-InGaAsSbコンポジットベース層及び厚さ60nmのn-InPコレクタからなるDHBTにおいて，ランチャー構造（厚さ4nm，ドーピング濃度3x1018cm-3）を導入したとき，平均電子速度が約5%向上した。また，0.25x6.0μmエミッタDHBTにおいて，ft/fmax=703/484 GHz@JC=16 mA/μm2と優れた高周波特性が得られた。このように，適切なコレクタ局所ドーピングはDHBT高速化に有効である。

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