InGaAs MOSFETにおける微細加工プロセス

カテゴリ: 部門大会

論文No: TC15-5

グループ名: 【C】2019年電気学会電子・情報・システム部門大会プログラム

発行日: 2019/08/28

タイトル(英語): Microfabrication process in InGaAs MOSFET

著者名: 宮本 恭幸(東京工業大学)

著者名(英語): Yasuyuki Miyamoto()

キーワード: InGaAs|MOSFET|微細加工技術微細加工技術|InGaAs|MOSFET|Micro processing technology

要約(日本語): 次世代MOSFETにおいてn-チャネルにおける高移動度材料として期待されているInGaAsであるが，Si MOSFETが単なるプレーナー構造にとどまらず，finFETやナノシートFETなどの3次元的な構造を取り入れて短チャネル効果耐性を改善していることから同様の微細化した3次元構造を導入することが期待されている。さらに低消費電力化においてトンネルFETの実用化も期待されているが，トンネルFETのオン電流向上のためにはInGaAsをチャネルにしたトンネルFETが期待されている。ただし，高性能化にはここでも微細化することが理論予測からは要求されている。そこで，これらの微細構造デバイスを開発するための電子ビーム露光やエッチング，再成長プロセスなどを交えた微細加工プロセスについて，その概略を説明する。

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