GaNパワーデバイス用材料の現状と課題

カテゴリ: 部門大会

論文No: TC15-6

グループ名: 【C】2019年電気学会電子・情報・システム部門大会プログラム

発行日: 2019/08/28

タイトル(英語): Present Situation and homeworks of GaN materials for power devices

著者名: 乙木 洋平(サイオクス),柴田 真佐知(サイオクス),吉田 丈洋(サイオクス),堀切 雅文(サイオクス),成田 好伸(サイオクス),藤倉 序章(サイオクス)

著者名(英語): Yohei Otoki|Masatomo Shibata|Takehiko Yoshida|Masafumi Horikiri|Yoshinobu Narita|Hajime Fujikura

キーワード: GaN|基板|エピウエハ|電気特性|欠陥|GaN|substrates|epitaxial wafers|electrical properties|defects

要約(日本語): GaNはその高い耐圧，電子移動度，飽和速度から高性能パワーデバイスへの応用開発が精力的に進められている。SiC基板上のGaNエピは，基地局用高周波トランジスタに用いられ量産化している。5G時代を迎え，高い伸びが期待され。更なる高性能化が課題。Si基板上はようやく量産品が出回り始めた。歩留まり，量産性，信頼性の確保などさらに進化が要。GaN基板上はまだ開発段階だが，非常に高いデバイス特性が報告され始めた。材料面から見たそれぞれの課題を概説する。

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