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物理的・化学的欠陥のトラップセンターと空間電荷形成
物理的・化学的欠陥のトラップセンターと空間電荷形成
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カテゴリ: 研究会(論文単位)
論文No: DEI07079
グループ名: 【A】基礎・材料・共通部門 誘電・絶縁材料研究会
発行日: 2007/09/11
タイトル(英語): Space Charge Formation in Trapping Site caused by Physical and Chemical Defects
著者名: 高田 達雄(武蔵工業大学),早瀬 悠二(武蔵工業大学),本城 正人(武蔵工業大学),丸田 真吾(武蔵工業大学),田中 康寛(武蔵工業大学)
著者名(英語): Tatsuo Takada(Musashi Institute of Technology),Yuji Hayase(Musashi Institute of Technology),Masato Honjoh(Musashi Institute of Technology),Shingo Maruta(Musashi Institute of Technology),Yasuhiro Tanaka(Musashi Institute of Technology)
キーワード: 空間電荷|トラップ深さ|ホッピング時間|捕獲時間|ホモ電荷|ヘテロ電荷|space charge|trapping depth|hopping time|residence time|homo charge|hetero charge
原稿種別: 日本語
PDFファイルサイズ: 709 Kバイト
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