高電圧半導体保護用エッチドヒューズの遮断性能の改善に関する研究

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: DEI13023

グループ名: 【A】基礎・材料・共通部門 誘電・絶縁材料研究会

発行日: 2013/01/29

タイトル(英語): Study on Improving Breaking Performance of High-Voltage Semiconductor Protection Etched Fuse

著者名: アマド ヒルミ(埼玉大学),小林 信一(埼玉大学),山納 康(埼玉大学),浅山 三夫(埼玉大学),広瀬 健吾(富士研究所)

著者名(英語): Bin Mustaffa Kamal Ahmad Hilmi (Saitama University),Kobayashi Shinichi(Saitama University),Yamano Yasushi(Saitama University),Asayama Mitsuo(Saitama University),Hirose Kengo(Fuji Research Center)

キーワード: エッチドヒューズ|半導体保護|高圧限流ヒューズ|直列遮断点数|筒の体積|Etched fuse|Semiconductor protection|Current limiting fuse|Series interception point|Tube volume

要約(日本語): 近年パワーエレクトロニクス装置の用途が増大すると共に、高電圧化が進んでおり、その保護装置として高性能の高圧限流ヒューズが要求されている。エッチドヒューズはセラミック基板に銅メッキがエッチドされていたヒューズである。このヒューズを用いた高圧用半導体保護用ヒューズの特性改善を目指して、ヒューズエレメントの直列遮断点数を増加させ、高圧エッチドヒューズを試作し、遮断試験をした。この結果について報告を行う。

要約(英語): The usage of power electronics has been widely used in electric power device. As the capability of this device is improving into high voltage level, the performance of power electronics also improves. Thus to protect this device from fault current, high-voltage etched fuse with high performance is required.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,493 Kバイト